一，扩散核心内容

　　扩散就是将酸洗好的硅片经过高温扩散，在硅片表面形成一层很薄的膜，使硅片产生电流，即使硅片形成PN结。

　　1：扩散用到的化学用品有两种：三氯氧磷（POCI3），三氯乙烷。

　　2：扩散的目的：使硅片形成PN结。

　　3：扩散三要素：扩散的时间；扩散的温度；杂质源的浓度（即：三氯氧磷的流量）

　　扩散的时间越长，方块电阻就越小；反之，就越大。

　　扩散的的温度越大，方块电阻就越小；反之，就越大。

　　扩散的流量越大，方块电阻就越小，反子，就越大。

　　4：扩散的三条化学方程式：

　　ａ三氯氧磷在高温下（大于600℃），分解成五氧化二磷和五氯化磷。

　　POCL3―≧600℃→P2O5+PCL5

　　b五氧化二磷和硅反应生成二氧化硅和磷原子

　　P2O5+SI→SI2+P↓

　　c五氯化磷和充足的氧气反应生成五氧化二磷和氯气

　　PCL5+O2→P2O5+CL↑

　　二，扩散的全部流程

　　上一道工序（酸洗）

　　∣

　　检验

　　不合格片―↓―合格片

　　插片

　　↓

　　上浆

　　↓

　　进舟

　　↓

　　扩散期间