单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法

　　本发明公开了一种单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法。采用位向分别为（100）及（111）的两种单晶硅片为载膜衬底，通过磁控溅射沉积25～150nm厚度的纯铁膜，再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80kPa压力所需质量的升华硫粉封装于石英管中，抽真空后密封置于加热炉中以3℃/min的升温速率加热至400～500℃进行热硫化反应10～20h，以2℃/min的速率降温至室温。本发明简化了直接溅射二硫化铁时通入硫蒸气或硫化氢的复杂过程，所合成的二硫化铁薄膜具有较标准的化学计量成分，不出现过渡相；薄膜与衬底之间具有较高的附着力，不易产生局部剥落；可以为关于衬底晶体结构和晶格参数对二硫化铁晶体生长影响规律的研究提供实验样品。

　　单晶硅高效复合切割方法及其切割系统

　　一种单晶硅高效复合切割方法，其特征将是将待切割的单晶硅棒装夹于电火花线切割机床上，利用固结有金刚石磨料的金属线作为切割线进行电火花线切割，充分发挥电火花线切割加工速度快和固结磨料金属线上的金刚石磨料切割效果好的优点，达到快速高效实现对单晶硅棒进行切割的目的，同时使被切割的单晶硅表面自然形成具有减反射效果的绒面结构。本发明具有方法简单，加工效率高，质量好等一系列优点。