本发明涉及单晶硅锭及其制造方法。其底部侧直胴部的特性与顶部侧直胴部及中部侧直胴部的特性相近似，高品位单晶硅的制品数率高，而且在直胴部整个长度上的品质大致均匀。并可按同一形状反复制造，在每批制品间，底部的形状没有偏差。这种效果是通过控制底部22的直径Ｄ2使得直胴部侧底部2ａ的外表面相对于直胴部1的外表面连续具有10—25度的倾斜角θ而获得。

　　提拉单晶硅的装置

　　一种提拉硅单晶装置，包括装置主体，其中配置坩埚且坩埚包括石英坩埚部件和坩埚保护部件，环绕坩埚外部配置加热元件，在加热元件外部配置保温筒，和在保温筒和装置主体之间配置隔热材料，其中由碳质材料制造的保温筒和／或坩埚保护部件内侧至少上部区域用热分解碳膜覆盖。

　　直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针

　　一种接近实时定量化诸如直拉硅熔体的熔体硅池挥发的和熔体上方气氛中存在的一氧化硅的数量的方法。优选的方法包括将从硅熔体上方气氛提取的含有一氧化硅的气体试样与反应剂反应生成可检测的反应产物，测定所生成反应产物的量，和将所测定反应产物的量换算成气氛中存在的一氧化硅量。一氧化硅的量化用于监视和／或控制硅熔体的氧量或从硅熔体正在提拉的单晶硅中的氧含量。还公开了一种一氧化硅探针和使用该探针监视和／或控制氧的一种系统。

　　双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法

　　一种双电极单晶硅电容加速度传感器，包括一质量块，至少两根弹性梁，若干细长片，由底部挖孔的硅外延层构成，支撑弹性梁的台座，上部由硅外延层构成，下部由氧化层将其与衬底隔开，起电绝缘作用，细长片侧面用来制作横向可变电容器的活动电极，质量块和细长片的底面用来制作纵向可变电容器的活动电极，横向可变电容器的固定电极由若干与衬底电绝缘但与衬底硬连接的细长片构成，纵向可变电容器的固定电极由衬底面构成。

　　通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品

　　一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制间隙凝聚，且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片，每个晶片在中央具有富含空位区，包括空位凝聚，和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区，无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面，晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭，其拉速要足够高以便防止间隙凝聚，且还要足够低以便防止空位凝聚。因此，当将该晶锭切割成晶片时，晶片为纯硅晶片，可包含点缺陷，但无空位凝聚团的间隙凝聚团。

单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法

　　本发明属单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜的类Ｐ－Ｎ结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压，六角氮化硼作源加射频功率，氩气作工作气体，在衬底上沉积c－ＢＮ薄膜，二者间形成类Ｐ－Ｎ结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统Ｐ－Ｎ结，但具有传统Ｐ－Ｎ结的电学特性，电容值增大106倍，由于c－ＢＮ能隙大于6.4ev的宽禁带，使类Ｐ－Ｎ结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。

　　低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用

　　拉制单晶硅的方法和所用的石墨支撑容器。拉制单晶硅时，碱土金属和碱金属特别是钙的浓度严重影响石英容器的不均匀反玻璃化。用低浓度钙的石墨支撑容器，在拉单晶硅时可以使盛装熔硅的透明石英容器不发生严重的不均匀反玻璃化，甚至在将支撑容器加热到较高温度时也具有以上效果，所述钙浓度最好按重量计不超过约１ｐｐｍ。减少透明石英容器的局部结晶度，可以减少丧失石英容器结构完整性的可能性，从而提高硅晶体的质量，增加零位错生长。

　　单晶硅片抗机械力的提高

　　本发明与单晶硅片的减薄方法相关，以便圆片最终厚度小于80um。