随着近几年来国际上对替代能源和可再生能源的兴趣日益高涨，太阳能光伏市场也在迅速扩大，当前由晶体硅太阳能电池占据市场的主导地位。然而，一些基于薄膜设备的技术正不断涌现且发展迅速，以致该领域成为增长速度最快的领域之一，以满足未来太阳能光伏的要求。预计到2012年，随着薄膜生产技术的不断增长，其生产能力将略超过现有总太阳能光伏生产的30%（见图1）。

　　在薄膜太阳能电池制造方面，化学浴沉积法和近空间升华法等技术正在带动其发展，CVD（化学气相沉积）应用于玻璃和其他基质的大面积处理技术也在市场上占重要部分。太阳能光伏生产中使用的活性薄膜的材料系统包括：碲化镉（CdTe）基材料、碲铟镓硒（CIGS）基材料和III-V材料，当然，也包括硅，彼此相互竞争。

　　III-V生产需要考虑的问题

　　对于各种太阳能电池来说，活性区域在吸收阳光方面的效率各不相同。在III-V领域，光能转换为电能的效率在照射水平非常高的情况下最好，因此，需要使用聚光器技术聚集近500倍的阳光强度到活性区域上，以获得最佳效果。在对活性组件要求较高的状况下，整个电池的结构必须完整，且高度纯净，不包含任何主要污染物，以避免因非发光中心和热量过高导致额外的内部损失。III-V半导体沉积领域的重要经验可通过高亮度LED生产技术得以验证，因为，要获得最高设备性能，纯净度和控制需达到类似的要求。最近，德国Fraunhofer太阳能系统研究机构（Fraunhofer Institute for Solar Energy）通过这些方法，在使用砷化物和磷化物材料的效率水平方面创下新记录。尤其是，研究发现氧（O）是一个多余的非发光中心：它使电池的工作效率和使用寿命大打折扣。要将沉积膜中“O”的水平降到最低，必须使用质量最好的前驱物，尤其是有机铝源，其污染物的含量必须低于1ppm。通常情况下，必须对专有生产和净化方法进行严格的质量控制，以确保太阳能光伏应用中的污染水平最低，从而生产出可靠的高性能设备。

　　由于沉积最佳层使用的很多前驱物的引火特性导致很多重大问题，要达到既定的规范要求，必须使用先进工艺水平的分析能力，以辨别触发化学物质的特性和准确的氧气污染程度。尤其是对于第III组金属烷基，例如三甲基铝（TMA）和三甲基铟（TMI），由于其本身具有高反应率，因此，需要小心处理，避免与空气接触。例如，任何与液体或固体产品接触的金属管路或导管必须完全不含O2/H2O。通常需要进行长时间的真空热处理，以脱附表面上的这些物质并消除可能存在的污染。图2中显示了利用长时间处理方案时，残余气体的排除效率，以及观察到杂质明显减少。产品灌装前，实验证明进行48小时处理的导管，在最重要的结构的性能方面优于经过24小时处理的导管，如图3所示。