2.2．2扩散工艺

　　ＰＮ结均匀性差，高方块电阻的硅片ＰＮ结相对较浅，相同的烧结条件下，ＰＮ结较浅的地方易被浆料穿透，造成漏电流偏大。在生产中应严格控制方块电阻的大小，调整合适的工艺，使方块电阻的均匀性提高，从而降低电池的暗电流。

　　2.2．3湿法刻蚀工艺

　　湿法刻蚀造成电池暗电流偏高的—个重要原因是刻蚀边缘较大，ＰＮ结遭到破坏，导致镀膜印刷烧结后漏电。湿法刻蚀的硅片，边缘较大主要有以下原因：

　　1）湿法刻蚀溶液粘度不足，主要表现为刻蚀液中Ｈ2Ｓ０4的浓度偏低；

　　2）化学成分配比不适合；

　　3）刻蚀槽流量过大；

　　4）排风量调节不适合；

　　5）传输速度慢等。

　　所以适当调节湿法刻蚀工艺，在保证刻蚀深度的情况下，尽量减小边缘刻蚀宽度，从而在一定程度上可以减少高漏电电池比例。

　　2.2．4不同的浆科，成分不同，性能不同，对电池的参数影响不同

　　不同浆料对氮化硅膜的穿透能力不同，高温性能不同，从而造成电参数性能的较大差异。在烧兰占ｉ型程中，应根据浆料的不同性质采用不同的烧结工艺。

　　2.3人工污染的原因

　　主要是人手接触硅片导致硅片受到污染，污染物主要是钠离子。下表中数据为制绒、扩散工序均采用机械手装卸载和制绒、扩散工序均采用人工收片和插片的电池参数对比数据：　　

　　以上对比数据表现为采用柳械手插片电池参数Ｉｒｅｖ2＞5Ａ的电池比例均低于1．5％，明显低于人工插片形成的比例。

　　2．4加工过程造戍机械损伤的原因

　　由于在电池生产过程中各工序会不可避免的对硅片造成不同程度的机械损伤，严重者会造成硅片的暗裂纹，如果印刷浆料后硅片还没有碎裂，烧结后浆料通过暗裂纹进入硅片，导致电池漏电偏大。这种硅片在生产过程中很难发现，但在ｌＲ下观测可以看到有微裂纹，表现为温度过高的亮点。因此生产过程中应减少硅片的机械碰撞，避免暗裂纹的产生。

　　3．结论

　　为降低电池的暗电流，提高电池的品质，首先应改善硅锭的内在质量，减少硅锭内在杂质的含量和缺陷态；其次，减少生产各个环节的污染，尤其是人为污染；优化电池加工各工序的工艺，避免机械损伤，对降低电池的暗电流有非常重要的作用。