其它缓冲层研究

　　因为Cd有毒污染环境，而且CdS的带隙偏窄，造成太阳能短波波段的损失，所以需要找出一些材料来代替CdS做为缓冲层，即无Cd薄膜太阳能电池。除了前面讲到的ZnS以外，还有InxSy、ZnSe、ZnO、SnS、Sn（S、O）、In（OH）等也在相关文献中被提到。InxSy其带隙宽度2.4～2.8eV，有利于350～500nm的光透过，是非常适合作缓冲层的一种材料。K．Ernits等人采用超声喷雾法（USP）沉积InxSy薄膜。研究发现InxSy/CIGS薄膜太阳能电池对350～500nm的光吸收比CdS/CIGS组成的高15％，但是后者在500～700nm的吸收比前者高15％。CIGS/InxSy异质结太阳电池的转换效率高达16.4％。2003年，N．Barreau等人第一次在衬底温度为200℃时，采用物理气相沉积法制备含有钠的In2S3薄膜，并且通过改变钠的含量，其能隙在2.15eV到2.90eV之间可调，最后得到的电池效率为8.2％，比用化学水浴法沉积的CdS作为缓冲层的太阳能电池的效率（10.2％）要低一些。Siebentritt等人对金属有机化合物MOCVD法ZnSe薄膜的沉积温度和沉积时间做了研究。结果表明，过高的沉积温度和过长的沉积时间都会影响吸收层的性能，光促进MOCVD法可以使沉积温度降低到265℃，沉积时间降到3min以内，最终得到的CIGS/ZnSe电池的效率为11％。

　   结束语

　　发展CIGS薄膜太阳能电池就是要发展适合工业化大生产的技术，成本低、效率高、污染小的电池。现在只考虑缓冲层，就适合大工业生产来讲，真空镀膜技术比化学水浴法占有优势；从保护环境角度考虑，无镉电池是一个研究的热点，而且现在已经发现了多种适合作缓冲层的材料，并且有些单位已经做出了效率较高的无镉CIGS薄膜太阳能电池。