我们从接收器亮灯测试问题样品中挑出7个芯片封装到铝基板上进行高温高湿实验，其中有五个划伤芯片，两个是亮灯正常、采用脉冲聚光太阳能模拟器进行I-V特性测试也是正常的，这两个正常样品用来与有异常现像的芯片进行对比；环测机设定环境温度65℃、湿度85%。

　　表4为7个接收器在经过1520个小时高温高湿实验后的老化前后电性对比，电性测试使用脉冲聚光太阳模拟器，由于实验时间跨度时间较长，考虑到不同时间测试仪器本身的误差，本实验选取标准片作为监控，测试仪测量误差±5%。试验表明，聚光太阳电池芯片在经过1520个小时高温高湿实验后，良品在长时间的高温高湿环境下，电性总体衰减不明显，但部分划伤半导体电性衰减较大。分析7个样品经过高温高湿实验前后功率变化和填充因子变化，划伤半导体电性衰减较大的原因主要在于填充因子的降低，其失效模式在于湿气侵入半导体，半导体的损伤加大，从而导致明显的漏电。

　　4 小结

　　本文对高倍聚光多结太阳电池的失效模型和加速老化实验方法进行研究，根据IEC62108标准关于聚光电池的可靠性要求，完成接收器亮灯测试问题样品（暗斑、半导体划伤、栅线缺失及金线缺失）和正常样品的加速老化实验。实验表明：正常太阳电池芯片本身寿命完全可以满足25年使用寿命，然而，接收器物料的耐候性需要系统的评估和老化试验，封装工艺将导致接收器使用寿命降低，特别是封装过程中密封或绝缘不过关将导致接收器芯片老化加速，另外，芯片工艺和封装工艺引入对太阳电池的人为损害也是接收器老化测试通不过的原因之一。