XRD表征

　　将清洗前后的硅片烘干后分别进行X射线衍射分析，结果如图2所示，其中A为清洗前硅片表面，B为采用工艺二清洗后的硅片表面，C为采用工艺一清洗后的硅片表面。根据XRD标准卡片PDF#020561、PDF#882284和PDF#892955上可以比对出谱图中衍射峰对应的单晶硅晶面。

　　从图2中可以看出，在硅片清洗前后，硅片的结构没有明显改变，但是硅片清洗前和使用工艺二对硅片清洗后，在2q=15~20度之间有段凸起的衍射峰，这可能是由于硅片上存在有机物残留所致，而在使用工艺一对硅片清洗后，有机层被彻底去除，衍射峰基线明显比前两者平整。

　　两种清洗工艺的对比

　　使用工艺一处理后的硅片表面规整，无有机物残留；而使用工艺二处理后的硅片表面规整度虽然有所提高，但是由于清洗工艺过于简单，而导致有机物残留，这点从XRD谱图上可以看出。总之通过优化工艺，合理配制工作液，能达到理想的硅片清洗效果。

　　结论

　　通过配制清洗液及优化清洗工艺，有效的实现了对硅片表面的清洗，通过SEM和XRD测试可以看出，清洗后的硅片表面结构平整，无有机物残留，达到太阳能电池用硅片所需要的标准。