操作步骤

　　1.清洗液配制

　　按照H2SO4:H2O2=5:1或4:1(质量比)的比例配制酸性溶液A；按照H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1(质量比)的比例配制碱性溶液；按照pH=5.0的HF配制酸性溶液B；按照HCl:H2O2:H2O=1:1:4(质量比)的比例配制酸性溶液C。

　　2.清洗过程

　　⑴工艺一：

　　选择加工后被污染的硅片，按照2.1描述的工艺流程图进行清洗，最后将硅片置于超纯水中，完成整个清洗过程。

　　⑵工艺二：

　　选择加工后被污染的硅片，先将硅片在盛有SC-1清洗液的烧杯中清洗，然后用超纯水清洗；接着把硅片放入盛有SC-2清洗液的烧杯中清洗，然后用超纯水清洗，完成整个清洗过程。

　　分析与测试

　　SEM：利用S-4800型扫描式电子显微镜测试单晶硅片在清洗前后的表面形貌。XRD：利用XD-3型X射线衍射仪测试单晶硅片在清洗前后的结晶性能。

　　结果与讨论

　　硅片处理前后的SEM表征

　　将清洗前后的硅片各取一部分，利用S-4800型扫描式电子显微镜测试单晶硅片在清洗前后的表面形貌，结果如图1所示，其中A为清洗前硅片表面，B为采用工艺二清洗后的硅片表面，C为采用工艺一清洗后的硅片表面。

　从图1中可以看出，硅片在经过清洗处理后，表面较清洗之前明显光滑平整，这是由于酸洗过程中对硅片表面腐蚀的原因。另外，经过工艺一清洗后的硅片表面明显比工艺二清洗后的硅片表面规整。