4.晶体生长

　　硅原料熔化结束后，降低加热功率，使适应坩埚的温度降至1420-1440℃硅熔点左右。然后石英坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得石英坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，生长过程中固液界面始终保持与水平面平行，直至晶体生长完成，该过程约要20-22h。

　　5.退火

　　晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加热和电池制备过程中容易再次硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2-4h，使硅锭温度均匀，减少热应力。

图2多晶硅锭

　　6.冷却

　　硅锭在炉内退火后，关闭加热功率，提升隔热装置或者完全下降硅锭，炉内通入大流量氩气，使硅锭温度逐渐降低至室温附近；同时，炉内气压逐渐上升，直至达到大气压，该过程约要10h。