Fig 4 Sectional view of minority carrier lifetime of the multicrystal silicon ingot before and after using new accessories and proc

　　由于硅溶胶良好的高温抗蠕变性能、刷涂工艺和德国产氮化硅粉可以有效地隔绝高温硅液与坩埚的接触，进一步减少氧杂质等进入硅锭，降低边皮红区厚度（如图4 使用新型辅材及工艺前后硅锭少子寿命截面图

　　Fig 4 Sectional view of    minority carrier lifetime of the multicrystal silicon ingot before and after using new accessories and process  

　　由于硅溶胶良好的高温抗蠕变性能、刷涂工艺和德国产氮化硅粉可以有效地隔绝高温硅液与坩埚的接触，进一步减少氧杂质等进入硅锭，降低边皮红区厚度（如图4），提高硅锭的品质。

　　结论

　　本文通过降低头部长晶温度，使多晶硅锭内部的位错密度由平均约4×105cm-3降低到平均3×103cm-3，复合中心大幅减少，少子寿命大幅度提高。采用了新型的辅材如德国产氮化硅粉、硅溶胶和高纯石英坩埚以及新的刷涂技术，使进入硅锭的氧含量、金属杂质等减少，边皮低少子寿命区变薄，提高了硅锭的品质。通过以上措施，使硅锭位错密度降低，氧、金属杂质减少，少子寿命提高，达到了生产高效多晶硅片的目的。