位错的存在可以大幅度地降低少数载流子的扩散长度，不仅是由于位错本身的悬挂键具有很强的电活性，可以作为复合中心[8]，而且由于金属杂质和氧碳杂质的偏聚也会造成新的电活中心，使电学性能不均匀。

　　位错密度的降低使俘获少子的复合中心大幅减少，使少子寿命大幅度提高，从而提高了太阳电池的装换效率。

　　杂质浓度的降低

　　有研究表明，相比于晶界和位错，硅锭中的氧、铁等主要杂质元素对其少子寿命的影响更大[9]。因此，减少硅锭中的氧、铁及其复合体或杂质，可以有效地提高硅锭的少子寿命，进而提高多晶太阳电池的转换效率。

　　使用高纯石英坩埚，可以有效地降低头部氧杂质（如图2）和过渡族金属杂质（Fe、Co和Cu等）（如图3）向硅锭内的扩散。

　　图2 不同厂家坩埚氧含量正态分布图

　　Fig 2 Normal distribution of the oxygen content of crucibles from different manufactures

　　图3 四种坩埚典型杂质含量分析对比图

　　Fig 3 Comparison chart of typical impurity content of four kinds of crucible