当我们知道了P型硅棒的空穴浓度值，根据同一种半导体，固定温度时导电电子的浓度与空穴的浓度的乘积保持一定值，即np=常数=n_i²2。因此我们可以计算出硅棒中相对应的电子的浓度（磷含量浓度），再根据N型硅晶浓度与电阻率的转换公式                     

    计算出相对应磷含量浓度的电阻率值。具体变化图（如图2）所示。

图2

    根据以上的硅棒的电阻率和浓度随长度的变化曲线图，因为P型硅棒的空穴浓度远远大于电子的浓度。我们可以看出在P型硅棒中磷补偿浓度随硅棒的长度逐渐降低，电阻率逐渐升高的。这就说明了当半导体中同时掺杂有电子和空穴时，掺杂浓度较高的一方会将少的一方进行杂质补偿，剩下的才成为多数载流子，在半导体中呈现导电类型。

    为了验证上述的可行性，我们又做了如下实验：

    1.2利用导电类型为N型原料掺杂成为P型导电类型的硅棒，头部电阻率控制为P型3.05 Ω· ㎝的硅棒的纵向电阻率变化曲线（图3）

图3

    1.3  当我们改变N型原料掺杂为P型硅棒对其掺杂浓度升高时，头部控制为P型0.8Ω·㎝的硅棒的纵向电阻率变化曲线图4：

图4