
运输方式 :合金履带式
硅片材料 :5寸CZ单晶硅片
硅片厚度 :180±10mm
电阻率 :1-3Ω·cm
少子寿命测试:Semilab WT-2000
开路电压测试:万用表
实验数据
A、氧化温度 。
在这个条件中,我们全部的氧化时间为12minute。

可以看出,低温氧化时,由于SiO2的存在,硅片的少子寿命较正常的略有提高,但是随着氧化温度的不断提高,少子寿命下降严重,说明硅片本身质量不高,高温下生成缺陷的影响远高于SiO2钝化的影响。
B、氧化时间
恒温区温度为900℃,氧化时间分别取18minute、12minute、10minute;
对应带速为10ipm、15ipm、18ipm;

结果表明,随着高温时间的减少,硅片的少子寿命呈上升趋势。越长时间的高温带来越多的热损伤。
本届新能源大会以“新城镇、新能源、新生活”为主题,举办2017全球新能源产业峰会及“光伏+”跨界、绿色建筑、分布式市场营销等10场专业论坛,国家能源局新能源和可再生能源司...