晶硅组件封装功率提升研究
发布时间：2013-07-31
编辑：haoshiguang
本文摘要： 何宝华 徐传明 沈禛珏 何涛 王慧 阮忠立 张忠卫 （连云港神舟新能源有限公司222000） （上海航天汽车机电股份有限公司...
何宝华 徐传明 沈禛珏 何涛 王慧 阮忠立 张忠卫
（连云港神舟新能源有限公司222000）
（上海航天汽车机电股份有限公司 200235）
摘要：晶硅太阳电池经过封装后，封装后的实际功率通常会小于封装电池片的理论功率，一般称之为封装损失（cells to module loss）。本文通过理论分析建立了电池片经过封装后的光学增益与电学损失计算模型，在此基础上结合试验研究了不同类型焊带、不同类型接线盒及半片电池片等材料对组件封装损失的影响，理论计算结果与试验结果基本一致。通过理论分析计算与试验验证，确定了最优的匹配方案，最终实现电池片功率封装后的正增益。
关键词：晶硅组件 光学增益 电学损失 封装损失
参考文献
[1] Mcintosh K R， et al 2009 Proceedings of the 34th IEEE PVSC 544
[2] Sanchez-Friera P， et al 2008 Proceedings of the 23rd EU PVSEC 2701
[3] 何宝华，何涛，赵邦桂，王慧 2012第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
专题报道
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