李琳，邹小平*，周洪全，高彦艳，滕功清

 

　　(北京信息科技大学理学院，北京市传感器重点实验室，教育部现代测控技术重点实验室，健翔桥校区，北京，100101)

 

　　摘要：近期，单掺杂量子点因引入了杂质能级而增加电子寿命使其在量子点敏化太阳电池得到广泛应用，但是单掺杂量子点对光吸收的改善有限。为了在延长电子寿命的基础上改善光吸收，本文采用连续离子层吸附与反应法（SILAR法）制备了Cu，In双掺杂CdS量子点敏化太阳电池。实验结果表明：Cu，In双掺杂CdS量子点的光吸收相对未掺杂的CdS发生了明显红移，并且Cu，In掺杂顺序不同，红移程度也不同。而且，Cu，In掺杂顺序不同对量子点敏化太阳电池的有明显的影响，对短路电流密度也有一定影响。先Cu掺杂后In掺杂的CdS（TiO2/Cu-CdS/In-CdS）量子点敏化太阳电池相对先In掺杂后Cu掺杂的CdS（TiO2/In-CdS /Cu-CdS）量子点敏化太阳电池的开路电压有明显提高，短路电流密度也有一定的提高，光电转换效率高。双掺杂CdS量子点敏化电池转换效率相对未掺杂CdS的有显著提高。此研究为改善量子点光吸收提供了新思路。

 

　　关键词：铜铟双掺CdS  量子点敏化电池 开路电压 短路电流密度