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不同SILAR次数对In掺杂CdS 量子点敏化太阳电池性能的影响
发布时间:2013-07-31    编辑:haoshiguang   
本文摘要:   周烽 邹小平 周洪全 李天星   责任作者:邹小平,xpzou2005@gmail.com, 13641056404   (北京信息科技大学理学院,北京市传...
 
  周烽 邹小平 周洪全 李天星
 
  责任作者:邹小平,xpzou2005@gmail.com, 13641056404
 
  (北京信息科技大学理学院,北京市传感器重点实验室,教育部现代测控技术重点实验室,健翔桥校区,北京,100101)
 
  摘要:掺杂作为一种改善材料特性的重要手段在微电子学和光电子学中得到了广泛应用。但是由于以往的掺杂手段对环境要求苛刻,掺杂半导体在太阳电池方向并未得到应用。近期,连续离子层吸附与反应法(SILAR法)因对环境要求不苛刻而被应用于制备掺杂半导体量子点,并且使得掺杂半导体应用到了量子点敏化太阳电池中。本文以In掺杂CdS量子点为例,详细讨论了SILAR沉积次数对In掺杂CdS量子点敏化电池性能的影响。实验结果表明:当In-CdS掺杂比例固定在1:5时,随着SILAR次数的增加,电池的短路电流密度,开路电压和光电转换效率都是增加的,当SILAR次数为6次时,In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值(n=0.76%),进一步增加SILAR次数光电转化效率有所降低。此研究方法对In掺杂CdS性能的研究具有重要意义。
 
  关键词:SILAR次数 铟掺杂硫化镉 量子点太阳电池 
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