周烽 邹小平 周洪全 朱晓俊

 

　　责任作者：邹小平， xpzou2005@gmail.com， 13641056404

 

　　(北京信息科技大学理学院，北京市传感器重点实验室，教育部现代测控技术重点实验室，健翔桥校区，北京，100101)

 

　　摘要：量子点敏化太阳电池因具有较高的理论转换效率使其在未来的新能源领域具有潜在的应用价值，但是量子点敏化电池的实际转换效率一直没有较大的突破。为了提高量子点敏化太阳能电池的转换效率，对半导体量子点进行掺杂在最近几年迅速发展。本文应用简单的制备方法制备了In掺杂CdS半导体量子点，并将其作为敏化剂应用到量子点敏化太阳电池中。实验结果表明，In掺杂CdS相对未掺杂CdS的导带有所提高，光吸收发生红移。对此，改善了光激发电子从量子点到TiO2的注入动力，利于电子的传输，因而太阳能电池的短路电流、开路电压和光电转换效率均有所改善。当量子点沉积次数为6次时，光电转换效率随着掺杂比例的降低而增加，在In-CdS的掺杂比例为1：5时达到最优，电池的光电转换效率达到了最大值0.76%。进一步降低掺杂比例，光电转换效率降低。此研究在光催化及光电二极管领域亦有一定研究意义。

 

　　关键字：铟掺杂硫化镉 量子点敏化太阳电池 掺杂比例