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预置层溅射顺序对硒化后CZTSSe薄膜结构和性能的影响

发布时间：2013-07-31 编辑：haoshiguang

本文摘要：　　李建军，张毅*，王继国，孙云* 　　（南开大学光电子所，300071）　　溅射后硒化硫化是制备CZTS薄膜的主流工艺路线之一。本文采...

　　李建军，张毅*，王继国，孙云*

　　（南开大学光电子所，300071）

　　溅射后硒化硫化是制备CZTS薄膜的主流工艺路线之一。本文采用ZnS， SnS和Cu靶材作为溅射靶材制备预置层，其中ZnS和SnS采用射频的方法溅射，金属Cu则采用直流溅射。预置层在550℃的高温下进行硫化硒化，采用XRF、XRD/GIXRD、SEM、Hall及分光光度计等测试，分析比较Cu/ZnS/SnS/Mo/Glass、Cu/SnS/ZnS/Mo/Glass、ZnS/Cu/SnS/Mo/Glass、ZnS/SnS/Cu/Mo/Glass、SnS/ZnS/Cu/Mo/Glass、SnS/Cu/ZnS/Mo/Glass等六种预置层堆叠顺序，以及硒化后得到的CZTSSe薄膜的表面形貌、晶相结构、应力及光学特性。

　　关键词：CZTSSe 溅射顺序表面形貌能带结构

关键词：

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