Te掺杂GaSb薄膜的性能研究
发布时间：2013-07-31
编辑：haoshiguang
本文摘要： 吴限量，张德贤，蔡宏琨，胡楠，苏超，于倩 （南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系，天津，300071） 摘要：GaSb是制...
吴限量，张德贤，蔡宏琨，胡楠，苏超，于倩
（南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系，天津，300071）
摘要：GaSb是制备热光伏电池的重要材料之一，其具有帯隙小，吸收系数高，电导率高的特点，非常符合热光伏材料的需求。在无掺杂的情况下，GaSb的导电类型为P型，如要做成GaSb的同质结电池，需要引入高价元素作为掺杂源。理论上来说，ⅥA族元素S、Se、Te均可作为N型掺杂源，但根据实验证实，S和Se掺杂后载流子浓度非常低，仅在1016/cm3这个数量级上，而Te掺杂可使载流子浓度达到1019/cm3这个数量级上，因此Te是作为GaSb的N型掺杂的最为理想的元素。
本文主要采用共蒸发法来制备GaSb薄膜，其中靠蒸发源的温度来控制反应的用量以及Te的掺杂浓度。主要研究GaSb进行掺杂后，薄膜光电特性、结构特性和控制掺杂等方面随蒸发源温度、衬底温度和Te掺杂浓度的变化。
关键词：锑化镓薄膜、热光伏、共蒸发
专题报道
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