脉冲激光沉积法制备CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜的结晶性和电学性能 - 光伏产业观察网－光伏行业的领先资讯网,光伏产业观察的官方网站

脉冲激光沉积法制备CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜的结晶性和电学性能

发布时间：2013-07-31 编辑：haoshiguang

本文摘要：　　赵雨a，赵春江a，刘永生a，陈东生a，　　许宁b，刘徐君b，关雷磊b，李惠b 　　（a上海电力学院太阳能研究所，上海201300；b复旦大...

　　赵雨a，赵春江a，刘永生a，陈东生a，

　　许宁b，刘徐君b，关雷磊b，李惠b

　　（a上海电力学院太阳能研究所，上海201300；b复旦大学光科系，上海200433）

　　摘要：

　　提出了制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的一种设想即借助脉冲激光沉积法（PLD）制备电池的钼层、铜铟镓硒吸收层和CdS缓冲层。借助脉冲激光沉积法把CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜沉积到钼薄膜覆盖的钙钠玻璃上，XRD和拉曼光谱测试表明：室温衬底下沉积的CIGS薄膜具有非晶结构，随着衬底温度从200℃升高到500℃，CIGS薄膜的结晶度增强，最大晶粒尺寸达19.75nm。霍尔测试表明400℃衬底温度下薄膜的载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率达到1018cm-3、2.722cm2V-1S-1、2.839Ωcm，适合作为铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层。

　　关键词：铜铟镓硒薄膜太阳电池；脉冲激光沉积；结晶度；电学性能

关键词：

【收藏】【打印】【关闭】【返回顶部】

分享到：