王九秀，谷锦华+，王淑慧，冯亚阳，薛源

 

　　 (郑州大学 物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，河南 郑州 450052)

 

　　摘要：由于太阳能电池设计需选择最佳的沉积参数和执行可靠的模型，因此ITO薄膜的光学和电学性能具有优异的匹配性和可靠的数值是必要的。我们采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。ITO薄膜的光学和电学性能是通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的方式进行表征和分析，研究了氧氩流量比，溅射功率和溅射压强三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。控制工艺参数给出大约200nm厚的薄膜上获得最佳电阻率为4.0*10-4Ωcm，最佳光学透过率为89.1%的ITO。接下来把这高质量的ITO薄膜运用在μc-Si/c-Si异质结电池上与此同时ITO薄膜沉积厚度为80nm，获得了开路电压为0.626 V，填充因子为0.5，短路电流为36.4mA/cm2及转换效率为11.47%的异质结电池。

 

　　关键词：ITO薄膜；直流磁控溅射；工艺参数；光电特性；异质结太阳能电池