退火处理对磁控溅射ITO薄膜性能的影响
发布时间：2013-07-31
编辑：haoshiguang
本文摘要： 胡楠，张德贤，蔡宏琨，许帅家，吴限量，苏超，于倩 （南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系，天津，300071） 摘要：I...
胡楠，张德贤，蔡宏琨，许帅家，吴限量，苏超，于倩
（南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系，天津，300071）
摘要：ITO具有体心立方铁锰矿结构，是一种重掺杂、高简并的n型半导体，由于其具有导电性能好（电阻率约为10-4Ω·cm）、可见光透过高（高于85%）等优良的光电特性而备受亲睐。与其他透明导电氧化物相比，ITO的光电性能更佳，稳定性更好，在太阳电池等领域上有很好的应用前景。本论文中采用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜，并对比了不同制备温度和退火温度对ITO薄膜的电阻率、透过率、结构等方面的影响，并将其应用于硅基异质结太阳电池中。
关键词：磁控溅射，热退火，ITO
专题报道
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