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不同气压下放电功率对微晶硅薄膜生长特性的影响

发布时间：2013-07-31 编辑：haoshiguang

本文摘要：　　陈永生*，陈喜平，郝秀利，杨仕娥，卢景霄　　（郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州，450052）　　摘要：本文采用理论模拟和实...

　　陈永生*，陈喜平，郝秀利，杨仕娥，卢景霄

　　（郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州，450052）

　　摘要：本文采用理论模拟和实验相结合的方法研究了266Pa和900Pa气压下放电功率对VHF- PECVD沉积的微晶硅薄膜的生长特性的影响。模拟和实验结果能很好的吻合。在低压低硅烷浓度时，SiH3为主要的沉积前驱基团，且沉积过程为气相扩散限制，前驱基团浓度的增加有利于（111）面的生长和晶粒尺寸的增大；而在高压高硅烷浓度时，高硅基团的生长得到增强，并参与薄膜的沉积，使速率进一步增加。同时，沉积前驱基团浓度的大幅度升高，使沉积向表面反应限制转变。这时，等离子体中H原子浓度的增加有助于（110）面的生长。

　　关键词：微晶硅薄膜，模拟，功率，生长特性

　　论文属于议题B：非晶硅、微晶硅和纳米硅薄膜电池

关键词：

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