纳米晶硅薄膜性能研究及其对太阳电池性能影响
发布时间：2013-07-31
编辑：haoshiguang
本文摘要： 曲铭浩[1]，张津岩[1]，胡安红[1]，郁操[1，2]，杨少飞[1]，徐希翔[1] （1、铂阳装备集团公司研发中心，610200；2、汉能创昱科技...
曲铭浩[1]，张津岩[1]，胡安红[1]，郁操[1，2]，杨少飞[1]，徐希翔[1]
（1、铂阳装备集团公司研发中心，610200；2、汉能创昱科技有限公司，102209）
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术，在5.9A/s的高速沉积速率下，制备了不同氢气/硅烷稀释比的纳米晶硅薄膜，研究了氢气/硅烷稀释比对纳米晶硅薄膜性能的影响以及纳米晶硅薄膜的纵向均匀性。XRD的测试结果表明所制备的纳米晶硅材料均呈现出(220)方向择优。通过拉曼谱测试发现薄膜的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低。在保持制备工艺条件不变的情况下，随厚度的增加，薄膜的晶化率轻微增大。采用梯度氢稀释法调控本征纳米晶硅薄膜的纵向晶化率分布，使电池性能得到大幅度提高，获得0.79m2大面积转换效率为12.24% (Voc=96.93V， Isc=1.33A， FF=71.3%)的非晶硅/纳米晶硅叠层太阳电池。
关键词： 纳米晶硅，硅烷浓度，纵向均匀性，氢气/硅烷稀释
专题报道
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