高效大面积纳米硅基薄膜叠层太阳电池技术
发布时间：2013-07-30
编辑：haoshiguang
本文摘要： 张津岩*[1]，徐希翔[1]，胡安红[1]，曲铭浩[1]，郁操[1，2]，汝小宁[1]， 彭长涛[1]，何嵩[1]，单洪青[1]，林福荣[2]，李沅民[1]...
张津岩*[1]，徐希翔[1]，胡安红[1]，曲铭浩[1]，郁操[1，2]，汝小宁[1]，
彭长涛[1]，何嵩[1]，单洪青[1]，林福荣[2]，李沅民[1]，
张晓丹[3]，赵颖[3]
（1、铂阳装备集团公司研发中心，610200；2、汉能创昱科技有限公司，102209；3、南开大学，300071）
近十几年来，硅基薄膜太阳能电池技术，尤其是纳米硅电池技术在研发和生产上取得了显著的进步。本文主要介绍我们在面积为1245mm*635mm的玻璃基板上开发的纳米硅薄膜太阳电池技术的主要进展。主要包括以下几个方面的内容：1）不同纳米硅沉积速率的工艺优化；2）在a-Si与nc-Si，或a-SiGe与nc-Si子电池间的NP隧穿结的材料特性的改善；3）采用不同的TCO玻璃，如不同的FTO以及自主研发的掺B的ZnO（BZO）薄膜，制备出的纳米硅电池特性的比较；4）a-Si/nc-Si双结电池与a-Si/a-SiGe/nc-Si三结电池IV特性分析；5）激光刻线的工艺优化和死区的改善。
通过以上几个方面的工艺、电池结构与性能的优化，我们在0.79m2的玻璃基板上制备出初始全面积转换效率12%以上的高转换效率的纳米硅基薄膜叠层太阳电池。
关键词：纳米硅薄膜电池，NP隧穿结，TCO，激光刻线
专题报道
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