乔琦1陆红艳1钱洪强1赵素香1，2吴文娟1唐宁1陈如龙1杨健1朱景兵1施正荣1褚君浩3

 

　　（1无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028；2江南大学理学院，江苏无锡214122；3中国科学院上海技术物理研究所，上海200083）

 

　　摘要近年来，基于晶体硅太阳电池前表面各种技术的发展以及相关材料质量的提高，推动了电池转换效率的不断提升。随着硅片朝薄片化的方向发展，为了进一步提高电池转换效率，电池表面钝化尤其是背表面钝化就显得尤为重要，已经受到了越来越多的关注。本文在产业化的P型CZ单晶硅电池背表面引入了采用PECVD技术制备的AlOx/SiNx叠层薄膜，研究了其背钝化和背反射效果，并与采用SiO2/SiNx叠层薄膜背钝化的电池性能进行了对比。结果表明，对于P型单晶硅电池而言，AlOx/SiNx叠层薄膜具有更优的背钝化和背反射效果。通过工艺优化，基于AlOx/SiNx背钝化结构的P型CZ单晶硅电池转化效率达到19.82%，在此基础上采用SiO2/SiNx正面钝化结构，制备得到的电池转换效率达到20.13%。

 

　　关键词单晶硅；背钝化；氧化铝