高效PERC单晶硅电池的光致衰减特性研究
发布时间：2013-07-24
编辑：haoshiguang
本文摘要： 陆红艳李文佳1，2乔琦1王振交1吴文娟1唐宁1陈丽萍1陈如龙1杨健1朱景兵1施正荣1 （1无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028；...
陆红艳 李文佳1，2 乔琦1王振交1吴文娟1唐宁1陈丽萍1陈如龙1杨健1朱景兵1施正荣1
（1无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028；2江南大学理学院，江苏无锡214122）
摘要近年高效低成本P型单晶硅电池相关技术层出不穷，转换效率迅速提高。然而工业界大规模用P型CZ单晶硅片中氧Oi含量较高，在光照条件下与B复合，形成的硼氧复合体导致少子寿命大幅度下降。本文在P型CZ单晶上采用AlOx/SiN、SiOx/SiN不同叠层钝化层，研究硅片的少子寿命以及对应的钝化发射极背接触（PERC）单晶硅电池在光照条件下的衰减特性。结果表明高效PERC单晶硅电池衰减幅度较常规单晶电池大1~1.5%。
关键词光致衰减；少子寿命；背接触
专题报道
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