晶体硅电池可工业化技术分析和前瞻 (一)
发布时间:2013-02-25     来源: solarzoom
本文摘要:近来传统晶体硅太阳能电池的技术开发水平大幅度提升,出现如STP的PLUTO电池,英利的PANDA电池,CSUN的SE电池,JA利用硅墨形成SE等已工...

 下图三,四分别显示了其典型的电池结构及AIST2009年的测试结果。

  特点:电池高效,唯一工业化的利用非晶硅钝化的异质结电池;可做双面电池结构,做BIPV应用的话,组件外观漂亮,电池零衰减。由于非晶硅特点,需要研究其长期稳定性。实际的薄膜工艺控制是难点。

  4.正面结N型电池(FraunhoferISE):

  该电池工艺采用新的表面钝化技术(Al2O3)在N型硅片衬底上实现高效电池的制作。该电池采用Al2O3钝化发射结技术,实现23.9%效率电池的制作,。由于采用了Al2O3钝化技术,该技术的导入引起业内Al2O3钝化技术的井喷式发展(工艺研究和设备制作)。现在研究有成型的设备,如R&R,BENQ等。

  下图五显示了其典型的电池结构

  特点:高效,比背接触电池具有低的技术要求及可能的成本优势,不足之处是正电极要进行金属蒸镀。如果利用丝网印刷技术的话,其技术应用前景广阔。

5.EWT/MWT技术,该电池结构设计源于Sunpower的背接触电池,利用激光技术将硅进行钻孔(laserdrilling)处理,然后进行腐蚀去损伤层处理。由于在工艺工程中需要采用分区扩散的掩膜技术,注定其工艺成本较高。利用这种技术,在P型多晶硅衬底上,已获得了18.8%的转换效率。下图六显示了其典型的电池结构。

  特点1:目前最高效的多晶体电池制作工艺,结合电池封装工艺,可以实现非常小的powerloss.难点要关注起激光的选择,激光打孔工艺的优化及金属浆料的选择。

  此外,由日本三菱公司开发的多晶硅电池在2010年也获得了19.1%的多晶最高效率。但是由于其使用RIE技术,激光打孔技术,其成本昂贵。

  下图七仅简单显示其电池结构。

分享到: