三、结果与讨论

　　由于硅烷浓度是影响硅薄膜材料结构敏感的沉积参数之一，因此，在固定其他沉积参数的前提条件下，制备了不同硅烷浓度条件下的薄膜。图2给出了系列薄膜的沉积速率随硅烷浓度的变化。从图中可以看出：在此实验沉积条件下，随着硅烷浓度的增加，薄膜的沉积速率几乎线性地增加，而且沉积速率增加的斜率大于硅烷浓度增加的斜率，这说明在我们的沉积条件下，硅烷浓度得到了有效使用。而且值得注意的是：在硅烷浓度大于6%时，薄膜的沉积速率已经达到1nm/s以上。

　　研究材料的目的是制备出高效率的微晶硅太阳电池。要想获得高速、高效的微晶硅薄膜太阳电池，制备出高质量、高速率的微晶硅材料是前提。首先考察了制备材料的电学特性，图3给出了系列薄膜的

　　暗电导和光敏性随硅烷浓度的变化。从图中可以看出：总的趋势是随硅烷浓度增加，材料的暗电导在逐渐减小，而光敏性则给出了相反的规律。这主要是由于硅烷浓度的增加，使得制备薄膜的结构由微晶向非晶转变（图4和图5）。而同非晶硅材料相比，微晶硅薄膜在电学特性上表现为暗电导大，光敏性小。在硅烷浓度为7%～7.5%时，制备材料的光敏性在500～1000之间，暗电导在1.0×10-6～1.2×10-6S/cm之间。

　　为进一步确定制备材料的质量，对其进行了X射线衍射的测试分析。图4给出了制备薄膜的X射线衍射测试结果。从图中很清楚地看出：在此实验研究的硅烷浓度范围内，薄膜显示出了（220）的择优取向，而且在此实验范围内，随硅烷浓度的增加，（220）择优取向的强度逐渐降低。当硅烷浓度达到8%和9%时，X射线衍射结果显示制备的材料是非晶硅，因为其没有任何衍射峰出现。