黑芯片

　　黑芯片在el测试图中我们可以清晰的看到从电池片中心到边缘逐渐变亮的同心圆，它们产生于硅材料生产阶段，与硅棒制作过程中氧的溶解度和分凝系数大有关。此种材料缺陷势必导致晶体硅电池片的少数载流子浓度降低，从而导致电池片中有此类缺陷的部分在el测试过程中表现为发光强度较弱或不发光。

　　电池片混挡

　　一块组件的el测试图中有部分电池片发光强度与该组件中的大部分电池片相比较弱，这是由于这部分电池片的电流或电压分档与该组件中大部分电池片的电流或电压分档不一致造成的。

　　电池片电阻不均匀

　　el测试单个电池片表面发光强度不均匀，这是由于电池片电阻不均匀造成的, 较暗区域一般串联电阻较大。这种缺陷也能反应电池片少子寿命的分布状况，缺陷部位少子跃迁机率降低，在el测试过程中表现为发光强度较弱。

　　结论

　　电致发光（electroluminescence,el）的检测方法，利用电致发光的原理对晶体硅太阳电池及组件做了近红外成像测试，通过el测试图迅速地检测出了太阳电池及组件中可能存在的缺陷，是一种有效的检测电池、组件的方法。el测试在太阳电池及组件质量分析和质量控制中发挥越来越重要的作用。