图4 类单晶凝固过程生长界面示意图

　　Fig 4 Schematic illustration of the growth interface of mono like solidification process

　　通过在石墨护板外壁加保温软毡，减少坩埚壁处的散热速度，从而提高此处的温度，使得坩埚边缘的生长界面呈水平或微凸型，抑制了多晶向内部的延伸，使长晶的进行再次熔化掉或者垂直向上生长；并使用直径更小的氮化硅颗粒进行喷涂，提高氮化硅图层的致密度，以减少在坩埚壁处的形核。最终提升了单晶在边缘区域的比例，单晶比例达到约68.7%（如图3d）。

　　降低籽晶的高度

　　保温绝热环可以阻止石墨加热器直接辐射到底部，减小边缘与中心的温度差，使籽晶熔化的界面趋于水平，实现降低籽晶高度的目的（如图5）。

　　 图5硅锭少子寿命截面图

　　Fig 5 Sectional view of minority carrier lifetime of the multicrystal silicon ingot

　　除了改变热场结构，工艺的改进也不是必不可少的。增加的保温绝热环使籽晶部分熔化得以实现，进入长晶阶段前，在TC2温度为1300℃下保温1小时，可以使聚集的杂质可以有效、及时地排出。

　　类单晶电池片的转换效率及碳、氧含量

　　通过以上增加保温绝热环、改进工艺等措施，可以有效地提高单晶比例，提升类单晶电池片的转换效率，经单晶制绒后，其相关参数见表1。