2011年6月18日，凤凰光伏携手中华全国工商业联和会新能源商会共同举办：“2011年准单晶技术与市场发展趋势暨凤凰光伏新品发布会”，并宣布其准单晶硅材料开始量产，将正式投放市场。

　　凤凰光伏经历半年时间研发、实验、小批量生产测试，通过对GT铸锭炉改造实现了准单晶的量产能力，并有效解决了等温曲线精确控制、0.5CM厚度超大尺寸无损伤籽晶制备技术和超低成本应用问题、错位等影响产品品质问题、电池制造工艺匹配问题，为客户提供专业应用意见和系统解决方案。凤凰光伏准单晶技术开发，共产生8项国内发明专利，1项国际发明专利。

　　凤凰光伏成为世界上第一个可以采用GT铸锭炉实现准单晶量产的公司，在位错控制方面该设备有独特优势。GT650从准单晶成本角度也许更值得期待。作为第一个将准单晶的制造成本降到接近普通多晶硅片的公司，使其量产具有现实意义。

　　凤凰光伏准单晶硅片的基本参数

　　导电类型：P尺寸：156mm×156mm
　　电阻：0.5—3Ω.cm少子寿命：≥2μs
　　厚度：200μm±20/180μm±20TTV：≤30μm
　　弯曲度：≤30μm线痕：≤15μm
　　位置上分：A区、B区、C区大晶粒晶向：<100>±5°

　　准单晶在大大生产线投放后，效率数据如下：

　　A区：16.61%占硅锭中的比例16%
　　B区：17.02%占硅锭中的比例48%
　　C区：17.32%占硅锭中的比例36%

　　多晶电池片效率基准：16.5%单晶电池片效率基准：17.6%准单晶每炉硅锭效率均值为17.06%