产业调查机构StrategyAnalytics指出，对于开发化石燃料以外的替代能源需求益发殷切，催生了地面太阳能(terrestrialphotovoltaic)的快速发展，而其中的高聚光型太阳能(HighConcentrationPhotovoltaic，HCPV)技术，更是为III-V族化合物半导体产业打开了新的机会。根据StrategyAnalytics的预估，从今年到2016年的未来5年内，HCPV产业规模将维持75%的年复合成长率，瓜分目前以矽晶为主的太阳能市场。

　　StrategyAnalytics指出，今年全球的地面太阳能市场总产值估逾800亿美元，而传统以矽晶为基础(Si-based)的产品仍是最主流的技术，占地面太阳能产业总值约82%。根据StrategyAnalytics的预估，到2016年全球地面太阳能市场将达到1000亿美元规模，等于约以10%的年复合成长率稳健向上。

　　然而值得注意的是，StrategyAnalytics认为，目前被矽晶技术宰制的市场现况，将面临以砷化镓(GaAs)材料为主的化合物半导体技术、以及薄膜(Thinfilm)半导体的强劲挑战，到了2016年，矽晶技术占地面太阳能市场总产值的比重，将从目前的82%下滑到约74%。

　　相较之下，根据StrategyAnalytics的预估，2016年时HCPV太阳能技术占地面太阳能产业的总值，将从目前仅不到1%快速拉抬到近5%，相当于75%的年复合成长率。

　　StrategyAnalytics指出，尽管III-V族HCPV技术在提升光电转换效率方面展现了较矽晶更优越的竞争力，长久以来却因为单位发电成本高昂等因素，而导致装机量远远落后于矽晶太阳能系统。随着III-V族HCPV厂商成功建立技术与产业的供应链，成本已获得大幅度的控制，HCPV与矽晶的单位发电成本差距正在急速缩小。

　　砷化镓(GaAs)对于太阳光频谱反应度高，使其拥有高达70%以上的理论光电转换效率，在实验室中的转换效率达50%，而商业量产转换效率也已近40%左右，是目前的HCPV主要材料技术。

　　目前包括美国、日本都有大规模建置HCPV电厂的计画，以美国来看，装设中的HCPV电厂就有逾300MW(百万瓦)产能，到2013年更将扩充到1GW(10亿瓦)；而日本则规划在2015年前设置22座全太阳能电厂，由于HCPV技术需要土地面积较小，对于地狭人稠的日本而言，将是相当有效益的解决方案。