未来5年聚光太阳能年复合成长达75%
发布时间:2011-09-24     来源: ne21.com
本文摘要:产业调查机构StrategyAnalytics指出,对于开发化石燃料以外的替代能源需求益发殷切,催生了地面太阳能(terrestrialphotovoltaic)的快速...

  产业调查机构StrategyAnalytics指出,对于开发化石燃料以外的替代能源需求益发殷切,催生了地面太阳能(terrestrialphotovoltaic)的快速发展,而其中的高聚光型太阳能(HighConcentrationPhotovoltaic,HCPV)技术,更是为III-V族化合物半导体产业打开了新的机会。根据StrategyAnalytics的预估,从今年到2016年的未来5年内,HCPV产业规模将维持75%的年复合成长率,瓜分目前以矽晶为主的太阳能市场。

  StrategyAnalytics指出,今年全球的地面太阳能市场总产值估逾800亿美元,而传统以矽晶为基础(Si-based)的产品仍是最主流的技术,占地面太阳能产业总值约82%。根据StrategyAnalytics的预估,到2016年全球地面太阳能市场将达到1000亿美元规模,等于约以10%的年复合成长率稳健向上。

  然而值得注意的是,StrategyAnalytics认为,目前被矽晶技术宰制的市场现况,将面临以砷化镓(GaAs)材料为主的化合物半导体技术、以及薄膜(Thinfilm)半导体的强劲挑战,到了2016年,矽晶技术占地面太阳能市场总产值的比重,将从目前的82%下滑到约74%。

  相较之下,根据StrategyAnalytics的预估,2016年时HCPV太阳能技术占地面太阳能产业的总值,将从目前仅不到1%快速拉抬到近5%,相当于75%的年复合成长率。

  StrategyAnalytics指出,尽管III-V族HCPV技术在提升光电转换效率方面展现了较矽晶更优越的竞争力,长久以来却因为单位发电成本高昂等因素,而导致装机量远远落后于矽晶太阳能系统。随着III-V族HCPV厂商成功建立技术与产业的供应链,成本已获得大幅度的控制,HCPV与矽晶的单位发电成本差距正在急速缩小。

  砷化镓(GaAs)对于太阳光频谱反应度高,使其拥有高达70%以上的理论光电转换效率,在实验室中的转换效率达50%,而商业量产转换效率也已近40%左右,是目前的HCPV主要材料技术。

  目前包括美国、日本都有大规模建置HCPV电厂的计画,以美国来看,装设中的HCPV电厂就有逾300MW(百万瓦)产能,到2013年更将扩充到1GW(10亿瓦);而日本则规划在2015年前设置22座全太阳能电厂,由于HCPV技术需要土地面积较小,对于地狭人稠的日本而言,将是相当有效益的解决方案。

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