结果和讨论
　　表1为不同导流方式下直拉单晶硅棒的平均拉速、碳氧含量等相关数据。

　　表1. 不同导流方式下拉制单晶硅棒的拉速、碳氧含量等数据

　　因直拉单晶硅棒重量主要集中于等径阶段，故此表中平均拉速为等径过程晶体平均生长速度，计算公式为： ，其中参数l和t分别为等径总长度和等径所用总时间。采用复合导流方式，其平均拉速要高出普通导流方式4.52 mm/hr，这可缩短了拉制晶体的时间，减少了热系统的能耗。

  　
　为了更好了解等径拉速 变化情况，图2给出了等径过程晶体拉速随晶体长度的变化曲线。安装石英直筒后，整体晶体拉速显著提高，这主要是因为石英直筒的引入加快了结晶潜热的释放，当氩气从副室顶充入至阀室后，由石英直筒将上部气流汇集成圆柱束状气流延伸至石墨热屏上方处，氩气流速大大提升，然后经过石墨热屏导流吹至硅熔体上方，在拉制晶体时，晶体高度不断地增加，慢慢地进入了石英直筒，这便对氩气流动产生了阻碍，然而却促进了氩气流速进一步增加，氩气流沿着晶体表面急速流动，使得晶体散热较快，间接地增加了晶体的轴向温度梯度，从而引起拉速大幅度提升，如图2所示，当等径长度到达200mm后，RPSY拉速比RP明显要高；同时，晶体的不断生长导致了熔体的减少和坩埚位置的升高，为防止埚内结晶，需加功率补温，等径后期晶体也慢慢地进入阀室内，所以后期二者拉速有些回升而且差值变化不大。

　　直拉单晶硅过程中由于碳氧杂质分凝的系数不同（KO=1.25；KC=0.07），形成了氧含量头高尾低，而碳含量相反。基于此现象，测试了头部氧含量和尾部碳含量如表1所示。可以看出，RPSY方式下生长的晶体头部氧、尾部碳含量都要低于RP，特别是头部氧含量降低较为显著。这说明复合导流对SiO、CO等气尘杂质的排出是非常有效的。因为直拉硅中氧主要来自于石英坩埚内壁与硅熔体的反应，而碳除了原料影响外，主要来自于石英坩埚外壁与石墨件的反应，反应方程式分别为：
　　SiO2(固体)+Si（液体）=2SiO（气体）；
　　SiO2(固体)+C（固体）=2SiC（固体）+CO（气体）