目前硅基太阳能电池的种类很多，不考虑聚光情况，目前转换效率达到25%的高效率硅基太阳能电池主要有发射极PERL、叉指背接触IBC、异质结HBC等结构，下表总结了目前高效率的硅基太阳能电池，由于HBC电池技术的基础是带有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池(HIT)。

　　PERL太阳能电池

　　澳大利亚的新南威尔士大学研制了PERL结构的硅太阳能电池，1999年在4cm2的P型FZ硅实现了25%的转换效率(1999年是24.7%，2009年太阳能光谱参照修正之后达到25%的效率)。PERL电池的特点是极好的单晶质量，在晶体硅正反双面均长了SiO2层，良好的钝化特性使得电池界面复合损失很低。PERL电池一直是高效硅基太阳能电池的代表，但其复杂的光刻工艺以及对衬底晶格质量的高要求使得实现成本较高，因而一直没有实现规模生产。

　　IBC太阳能电池

　　1975年，Schwartz和Lammert第一次提出了IBC结构[14-15]，IBC电池的显著特点在于没有正面电极，正负电极均位于电池背面，且正负电极呈现叉指状。当时提出的目的是为了解决由于高照明强度带来的电压饱和问题，而伴随这种结构而来的串联电阻的减小、栅线遮光的移除，对于取得高效率的光伏电池很有帮助，使得IBC电池一直被认为是取得高效率电池的一种有效途径。此外，IBC电池的背面叉指化电极结构有望降低电池片间组装成本，减少铝条焊接工艺。

　　Sunpower公司分析了25%效率的IBC电池后发现，电池效率的主要损失在于发射极复合和背部光学损失，同时，常州天合公司分析的IBC电池效率的主要损失同样在于光学损失和复合损失。因此，IBC电池下一步提升的空间在于背部减反射和更高效的钝化。对于硅基太阳能电池，HIT电池一直是高效钝化的代表。

　　HIT电池

　　HIT太阳能电池起源于Hamakawa等[19]设计的a-Si/c-Si堆叠太阳能电池,与单晶、非晶硅太阳能电池相比,其具有低温工艺,高的稳定性等优点，HIT太阳能电池的电池效率记录由日本的松下公司(原本是三洋公司，但是三洋公司被松下公司收购)保持，松下公司2013年在面积101.8cm2，98mm厚的N型Cz硅上制成了24.7%的HIT电池。

　　HIT电池有很多优势：将本征非晶硅层插入P型(或者N型)非晶硅和晶体硅的工艺能够形成优秀的钝化；200℃以下的低温工艺能够最大程度上保证晶体硅质量不衰减；与热扩散电池相比，HIT电池有更好的温度系数和开路电压。

　　HBC电池

　　HBC结构由日本的夏普公司提出，是背接触IBC电池与硅基异质结HIT电池的良好结合。由于没有正面栅线遮光，电池有高的短路电流；由于有高质量的氢化非晶硅钝化，电池有高的开路电压。夏普公司并不是HBC效率的保持者，目前HBC电池效率最高记录已由日本松下公司改写，他们在143.7cm2的N型Cz硅上，实现了电池效率25.6%，也是目前单结硅基太阳能电池的最新记录。

　　目前，市面上典型结构的太阳能电池主要依赖如电极浆料等材料的改进来实现效率提升，而25%以上高效率的硅电池仅仅依赖材料改进是很难达到的。为此，国内的电池公司可以借鉴这些大公司的思路，进行创新突破，在已有的基础上改进升级。

　　未来硅基异质结可能还会有新的进展，关键的突破可能来源于薄膜材料--非晶硅材料可以用其他材料代替，但关键是要求成本要低，可能用到更低成本的薄膜工艺如印刷工艺，比如通过硅和钙钛矿薄膜材料研制新型异质结结构，以及相应的HBC新型电池等，创新空间非常大。相信国内主要厂家将很快掌握背接触和异质结的工艺，且随着N型硅材料成本的下降，国内硅基太阳能电池行业也将进入25%的高效率电池时代。