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工信部发布光伏制造行业规范条件的意见
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。
（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25年内不高于20%。
三、资源综合利用及能耗
（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。
（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：
1.现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克，综合电耗小于120千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；
2.现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克；
3.现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克；
4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；
5.电池项目平均综合能耗小于12万千瓦时/MWp；
6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于6万千瓦时/MWp；薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。
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